on芯片

　　UM311b相较忆联上一代产品在性能方面实现了提升。顺序读写性能可达550/530 MB/s，随机读写性能可达98K/42K IOPS，时延降低20%，功耗降低40%，可为企业级业务带来更快、更好的使用体验，并在关键应用场景下发挥更强的性能优势，满足用户对高性能的需求。
on芯片嵌入式SIM（eSIM），也称为eUICC，是一种便捷的远程配置解决方案，使设备能够无线更换电信运营商，为移动设备提供的全天候全球连接增加了灵活性和安全性。
　　GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现快的开关速度、的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装，专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。

　　除可见光之外，许多领域需借助红外热成像技术来完成行业特定作业需求，如消防救援查找火源、夜间人员搜救及动物保护监测、能源巡检排查故障隐患等，禅思H30T自带热成像相机，能够帮助行业用户更加安全高效地确认目标。热成像相机分辨率为 1280 x 1024 ，比上一代提升了 4 倍[4]，同时支持 32 倍数码变焦。
HP5354.A 采用定制电陶瓷配方设计，在单个贴片中贴片解决方案中提供“堆叠贴片 L1-L5 性能”。它“具有 2.61dBi 的无源峰值增益，针对 GPS L1-L5、北斗 B1、伽利略 E1 和格洛纳斯 G1 操作进行了优化，可与下一代双频 GNSS 接收器配合使用”。
on芯片TE Connectivity HDC浮动式充电连接器采用缩小尺寸的混合设计和巧妙的浮动式系统，使AGV/AMR能自动修正插配位置。该连接器采电源和信号混合设计，包含两个250V、80A电源引脚（额定冲击电压为4.0KV）和四个60V、10A信号引脚（额定冲击电压为1.5KV）。其浮动式设计提供0.5mm的公差。这些连接器的紧凑式混合设计有助于满足缩小封装尺寸、减少空间占用和减轻重量的要求，即使在严苛的工业环境中也能帮助实现车辆的小型化。TE HDC浮动式充电连接器具有多达30,000次插配循环的耐用性，是一款高度可靠、功能强大的解决方案。
USB 2.0 信号调节器产品 PI5USB212，可在供电电压低至 2.3V 的状态下工作。PI5USB212 设计用于笔记本电脑、个人计算机、扩充坞、延长线、电视及显示器，能自动检测 USB 2.0 高速传输。在 PCB 走线或数据线延长至 5 米时亦可保持信号完整性。
此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC? 750 V这一顶部散热CoolSiC? 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。

　　提高生产力：对于运行典型企业工作负载（例如数据库）的类似配置的系统，与上一代 FlashSystem 5200 相比，IBM FlashSystem 5300 能够在 70/30/50 典型生产工作负载[1]上提升 45% 的吞吐量，在顺序工作负载上至少提高 50% 的带宽。
on芯片这一XDP?产品系列的新成员专为各种电信应用量身定制，包括远程无线电头端电源、基站配电、有源和无源天线系统、5G小型蜂窝基站电源，和电信 UPS 系统。
　　美光UFS 4.0的顺序读取速度和顺序写入速度分别高达 4300 MBps和4000 MBps，较前代产品相比性能[[1]]提升一倍，为数据密集型应用提供了更出色的使用体验。凭借高速性能，用户能更快地启动常用的生产力、创意和新兴 AI 应用。生成式 AI 应用中的大语言模型加载速度可提高 40%[[2]]，为用户与AI 数字助手的对话提供更流畅的使用体验。
　　这项创新的核心在于greenteg经过的CALERA?热通量传感器和算法。这些传感器可以轻松集成到智能可穿戴设备中，具有广泛的应用前景。而CALERA?传感器技术与艾迈斯欧司朗先进的AS6221数字温度传感器在CORE设备中完美结合，为耐力运动员提供了可靠的数据和洞察能力。凭借其创新设计，这款轻巧紧凑的可穿戴设备能够帮助运动员调节体温，有效降低体温过热风险，助力他们发挥运动水平。