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　　此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列非常适对能效要求很高的相移零压开关拓扑。
renesas瑞萨GD32F5系列支持2MB程序RWW (Read-While-Write) OTA升级，能够在业务不中断的情况下进行代码升级，兼顾实时性与稳定性。外部总线扩展(EXMC)支持访问SDRAM、SRAM、ROM、NOR Flash、NAND Flash及PC Card等多种片外存储器。凭借其超大容量存储空间，GD32F5能够满足复杂工业系统对于代码升级备份的需求。
　　凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。

其双面 DHDFN-9-1（双散热器 DFN）封装的双极引脚设计有助于优化 PCB 布局和简单并联以实现可扩展性，使客户能够轻松处理高达多kW的应用。经过设计新型封装不仅提高了产量，其侧边可湿焊盘技术，更便于光学检查。
OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。
renesas瑞萨AI 边缘服务器 MEC-AI7400 (AI Edge Server)系列，可依应用需求搭配多种加速卡，弹性且多样性的搭配组合能符合智能制造应用的多种变化，包含GPU 卡、运动控制卡、IO卡、影像撷取卡等，并搭配防尘功能及短机箱设计，适合工厂和自动化环境。
　　SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D2PAK封装减小50.8 %，高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。
　　面对更为复杂的高功率需求，IT6600系列支持同规格设备的并联扩展，允许用户轻松实现高达10MW的输出功率。这种灵活性，配合其先进的保护机制、多样化的通讯接口和高度的系统冗余性，使得IT6600系列不仅加速了系统的构建和灵活性，也为各类高功率需求的应用场景提供了有效的技术方案。

　　数字化时代的高速发展要求推动未来技术创新的数据存储也持续迭代革新。为满足用户对于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多样化存储需求，西部数据公司（NASDAQ：WDC）近日宣布推出搭载下一代高性能QLC（四级单元）的西部数据? PC SN5000S NVMe? SSD，从而为 PC OEM 厂商提供创新的PCIe Gen4x4 存储解决方案，帮助用户轻松应对繁重的工作负载。
renesas瑞萨　　HL8518 是一款 80mΩ Rds(on)高边开关产品，具有完备的诊断和保护功能。该产品有两个版本，版本A可以通过使用FLTn引脚、漏极开路结构报告故障情况；版本B的ISNS引脚输出的小电流与流经内部功率管的电流成比例。通过将电阻器从ISNS引脚连接到GND，用户可以监控负载电路的电压，以便检测各种负载情况，包括正常运行、短路接地、负载开路等。
　　MSD4100WA内部集成的16bits高精度ADC，用于将硅基线性霍尔的模拟信号转成数字信号；H桥恒流驱动模块可以提供±170mA的电流驱动能力；高精度的PID算法搭配美新自有的陀螺相关算法，可以提供压制比优于-35dB的拍照防抖效果。
　　具有如此紧凑尺寸和全面的功能集，TS-3032-C7为设计师提供了前所未有的灵活性和兼容性，使其能够轻松集成到各种高体积应用中，不论是移动设备、环境监控系统还是智能穿戴设备，都能提供的温度监控与高性能时间管理解决方案。